CLP 12.490

ESPECIFICACIONES:
DDR3-4GB - KVR16LS11/4WP
4GB 1Rx8 512M x 64-Bit PC3L-12800
CL11 204-Pin SODIMM
● Velocidad de memoria: 1600Mhz
● CL (IDD) 11 ciclos
● Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) 48.125ns (min.)
● Actualizar a Activo / Actualizar 260ns (min.)
● Tiempo de comando (tRFCmin)
● Tiempo activo de fila (tRASmin) 35ns (min.)
● Clasificación UL 94 V - 0
● Temperatura de funcionamiento 0o C a 85o C
● Temperatura de almacenamiento -55o C a + 100o C

CARACTERÍSTICAS:
• Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,35 V y 1,5 V
• VDDQ = 1,35 V y 1,5 V
• 800MHz fCK para 1600Mb / seg / pin
• 8 bancos internos independientes
• Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5
• Latencia aditiva programable: reloj 0, CL - 2 o CL - 1
• Precarga de 8 bits
• Longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin ningún límite, secuencial con el inicio
dirección "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite
leer o escribir [sobre la marcha con A12 o MRS]
• Estroboscópico de datos diferenciales bidireccionales
• Calibración interna (auto): autocalibración interna a través del pin ZQ
(RZQ: 240 ohmios ± 1%)
• En la terminación del troquel utilizando el pin ODT
• Período de actualización promedio 7.8us a menos de TCASE 85 ° C, 3.9us a
85 ° C • Restablecimiento asincrónico
• PCB: Alto1.18 ”(30 mm), componente de doble cara
• Cumple con RoHS sin plomo

MEMORIA RAM KINGSTON DDR3 (4GB) KVR16LS11/4WP - SKU 350101
4GB 1Rx8 512M x 64-Bit PC3L-12800
CL11 204-Pin SODIMM
Velocidad de memoria: 1600Mhz