ESPECIFICACIONES:
DDR4-16GB - KVR24S17D8/16
16GB 2Rx8 2G x 64-Bit PC4-2666
CL17 260-Pin SODIMM
● Velocidad de memoria: 2666Mhz
● CL (IDD): 17 ciclos
● Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 45.75ns (min.)
● Actualizar a Activo / Actualizar
Tiempo de comando (tRFCmin): 350ns (min.)
● Tiempo activo de fila (tRASmin): 32ns (min.)
● Potencia de funcionamiento máxima: TBD W *
● Clasificación UL: 94 V - 0
● Temperatura de funcionamiento: 0o C a + 85o C
● Temperatura de almacenamiento: -55o C a + 100o C
* La potencia variará según la SDRAM utilizada.
CARACTERÍSTICAS:
• Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico
• VDDQ = 1,2 V típico
• VPP - 2,5 V típico
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminación nominal y dinámica en matriz (ODT) para
señales de datos, luz estroboscópica y máscara
• Autoactualización de bajo consumo (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en la matriz
• Rango doble
• EEPROM de detección de presencia (SPD) en serie I2 incorporada
• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8
a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)
• Topología fly-by
• Bus de dirección y comando de control terminado
• PCB: Altura 1,18 "(30,00 mm)
• Cumple con RoHS y libre de halógenos